功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。
    在实际应用中,它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
原理如下
     具有较高的 开启电压,即是 阈值电压,可达2~6V(一般在1.5V~5V之间)。当环境 噪声较高时,可以选 用 阈值电压较高的管子,以提高 抗干扰能力反之,当噪声较低时,选用阈值电压较低的管子,以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。
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