pn结加正向电压耗尽层的变化

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等，加正向偏压后，正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区，自建电场的电压方向相反，等于削弱了自建电场，空间电荷区势垒降低，扩散电流超过了漂移电流，使PN结导通。

随着正向电压的增大，空间电荷区长度缩短，势垒变低，电压变低。

PN结指：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础

耗尽层将变窄。

耗尽层就是在pn结附近，p 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，n 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。pn结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。