碳化硅和硅片的区别

二者的相同点为：都是含有硅元素的纯净物。不同点：碳化硅（SiC）为纯净物中的化合物，而硅片中的主要成分为硅（Si）元素，它是固态非金属单质。

硅片是第一代半导体材料，碳化硅晶片是第三代。

碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。