氮化镓和硅基区别

这两种材料的区别如下：(1)物质不同：氮化镓是一种非金属氮化物。然而，硅基是一种二氧化硅材料。

(2)分子量不同：氮化镓的分子量大，然而，硅基的分子量较小。

(3)用途不同：氮化镓是半导体材料，然而，硅基则是晶体管基体材料。

区别在于：

硅基的氮化镓比碳基的氮化镓在线性度上有不同的显现，可对基站的复杂信号进行数字调制。 

在产能上，碳基氮化镓由于材料特性，不支持大的晶圆，而硅基氮化镓材料支持大晶圆的特性，有利于电路的扩展和集成，未来有可能在相关领域取代碳化硅基。 

碳基氮化镓器件是以碳化硅（SiC）做衬底。硅基氮化镓工艺的衬底采用硅基。

硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高，Wafer可以做的大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，晶圆的长度可以拉长至2米，无论在产能和成本方面，硅基氮化镓器件有优势些。

氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。 氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，使得电源不仅更轻，而且更紧凑。